受AI需求拉动，高带宽内存 (HBM)凭借其超高带宽、卓越能效、小尺寸的优势成为AI算力的核心支撑。目前，HBM键合有Die-to-Wafer (D2W)和Wafer-to-Wafer (W2W)两种主流实现方式。D2W (Die-to-Wafer)是先切割晶圆并筛选出良品裸片，再将Die逐个拾取、贴装到目标晶圆上的异构集成工艺；Wafer-to-Wafer (W2W)是在晶圆划片前，将两片完整晶圆面对面直接键合，是一种批量处理的同质集成工艺。针对以上两种HBM键合工艺设备，广东精瓷可提供所需的核心部件。

一、D2W工艺设备核心部件-脉冲式加热器

脉冲式加热器：作为热压键合（TCB）的核心动力源，它以毫秒级的精准控温能力，实现了HBM芯片堆叠的高精度、低损伤互联，是先进封装制程的关键引擎。

二、D2W工艺设备核心部件-真空加热吸盘

真空加热吸盘：作为TCB设备的关键承载单元，可以通过真空吸附消除晶圆翘曲，提供微米级平整的键合界面；同时作为加热源，为晶圆提供精准、均匀的预热环境，保障键合良率与可靠性。

三、D2W工艺设备核心工装--吸嘴

SiC吸嘴：利用真空吸附原理吸附Die,可与键合热压头组合使用，实现兼容多尺寸芯粒加工键合。

四、W2W工艺设备核心部件-氮化铝静电加热卡盘

氮化铝静电加热卡盘：凭借优异的热导率与化学稳定性，成为半导体制造中实现晶圆精准温控的核心基石。